GOFORD(谷峰) 贴片MOS(场效应三极管) N管,100V,18A,开启2.2V,33mΩ@10V,37mΩ@4.5V 停产 封装:TO-252 PN:18N10W

商品编号：OK000000160121

型号：N管,100V,18A,开启2.2V,33mΩ@10V,37mΩ@4.5V 停产

封装/规格：TO-252

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：GOFORD(谷峰)

三极管类型：NPN

型号PN：18N10W

描述：漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 18A(TC) 栅源极阈值电压 2.9V 流明 250UA 漏源导通电阻 50MΩ 流明 5A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 47W(TC) 类型 N沟道