KIA 半导体 贴片MOS(场效应三极管) KND4365A 封装:TO-252-2(DPAK) PN:KND4365A

商品编号：OK000000163102

型号：KND4365A

封装/规格：TO-252-2(DPAK)

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：KIA 半导体

三极管类型：NPN

型号PN：KND4365A

描述：漏源电压(VDSS) 650V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 4A(TC) 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 2.5Ω 流明 2A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 55W(TC) 类型 N沟道 N沟道650V4A