VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管) SI2325DS-T1-GE3 封装:SOT23-3 PN:SI2325DS-T1-GE3

商品编号：OK000000163125

型号：SI2325DS-T1-GE3

封装/规格：SOT23-3

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：PNP

型号PN：SI2325DS-T1-GE3

描述：漏源电压(VDSS) 150V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 530MA 栅源极阈值电压 4.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 1.2Ω 流明 500MA 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 750MW 类型 P沟道 P沟道 -150V