VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管) SI2308BDS-T1-E3 封装:SOT-23-3 PN:SI2308BDS-T1-E3

商品编号:OK000000163297

型号:SI2308BDS-T1-E3

封装/规格:SOT-23-3

封装类型:贴片

产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地:VISHAY(威世)

三极管类型:NPN

型号PN:SI2308BDS-T1-E3

描述:漏源电压(VDSS) 60V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 2.3A(TC) 栅源极阈值电压 3V 流明 250UA 漏源导通电阻 156MΩ 流明 1.9A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 1.66W(TC) 类型 N沟道

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  • 商品名称: VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管) SI2308BDS-T1-E3 封装:SOT-23-3 PN:SI2308BDS-T1-E3
  • 商品编号:OK000000163297
  • 品牌:VISHAY(威世)
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  • 型号:SI2308BDS-T1-E3
  • 封装/规格:SOT-23-3
  • 封装类型:贴片
  • 产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)
  • 品牌/产地:VISHAY(威世)
  • 三极管类型:NPN
  • 型号PN:SI2308BDS-T1-E3
  • 描述:漏源电压(VDSS) 60V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 2.3A(TC) 栅源极阈值电压 3V 流明 250UA 漏源导通电阻 156MΩ 流明 1.9A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 1.66W(TC) 类型 N沟道
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