HUAYI(华羿微) 贴片MOS(场效应三极管) HY1904D 封装:TO-252-2(DPAK) PN:HY1904D

商品编号：OK000000163302

型号：HY1904D

封装/规格：TO-252-2(DPAK)

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：HUAYI(华羿微)

三极管类型：NPN

型号PN：HY1904D

描述：漏源电压(VDSS) 40V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 72A 栅源极阈值电压 3V 流明 250UA 漏源导通电阻 6MΩ 流明 36A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 62.5W 类型 N沟道 N沟道 40V 72A4.8MΩ导通电阻