SINO-IC(光宇睿芯) 直插MOS(场效应三极管) SED30P30M 封装:DFN3*3 PN:SED30P30M

商品编号：OK000000163323

型号：SED30P30M

封装/规格：DFN3*3

封装类型：直插

产品类型：直插 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：SINO-IC(光宇睿芯)

三极管类型：PNP

型号PN：SED30P30M

描述：漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 30A 栅源极阈值电压 1.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 11MΩ 流明 10A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 2.1W 类型 P沟道 P沟道 -30V-30A