KIA 半导体 贴片MOS(场效应三极管) KIA30N06BD 封装:TO-252-2(DPAK) PN:KIA30N06BD

商品编号：OK000000163387

型号：KIA30N06BD

封装/规格：TO-252-2(DPAK)

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：KIA 半导体

三极管类型：NPN

型号PN：KIA30N06BD

描述：漏源电压(VDSS) 60V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 25A 栅源极阈值电压 2.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 30MΩ 流明 15A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 34.7W 类型 N沟道 环保