LRC(乐山无线电) 贴片MOS(场效应三极管) LP3218DT1G 封装:DFN 2020-6S PN:LP3218DT1G

商品编号：OK000000163767

型号：LP3218DT1G

封装/规格：DFN 2020-6S

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：LRC(乐山无线电)

三极管类型：PNP

型号PN：LP3218DT1G

描述：漏源电压(VDSS) 12V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 8.2A 栅源极阈值电压 1V 流明 250UA 漏源导通电阻 18MΩ 流明 7A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 1.7W 类型 P沟道 P沟道 12V 8.2A 18MΩ流明4.5V