HUAYI(华羿微) 贴片MOS(场效应三极管) HY12P03C2 封装:PPAK5*6-8L PN:HY12P03C2

商品编号:OK000000163862

型号:HY12P03C2

封装/规格:PPAK5*6-8L

封装类型:贴片

产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地:HUAYI(华羿微)

三极管类型:PNP

型号PN:HY12P03C2

描述:漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 50A(TC) 栅源极阈值电压 3V 流明 250UA 漏源导通电阻 11.5MΩ 流明 12A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 42W(TC) 类型 P沟道

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  • 商品名称: HUAYI(华羿微) 贴片MOS(场效应三极管) HY12P03C2 封装:PPAK5*6-8L PN:HY12P03C2
  • 商品编号:OK000000163862
  • 品牌:Techcode(泰德)
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  • 型号:HY12P03C2
  • 封装/规格:PPAK5*6-8L
  • 封装类型:贴片
  • 产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)
  • 品牌/产地:HUAYI(华羿微)
  • 三极管类型:PNP
  • 型号PN:HY12P03C2
  • 描述:漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 50A(TC) 栅源极阈值电压 3V 流明 250UA 漏源导通电阻 11.5MΩ 流明 12A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 42W(TC) 类型 P沟道
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