Infineon(英飞凌) 贴片MOS(场效应三极管) IPD082N10N3 G 封装:TO-252-2(DPAK) PN:IPD082N10N3G
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商品编号:OK000000164260
型号:IPD082N10N3 G
封装/规格:TO-252-2(DPAK)
封装类型:贴片
产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)
品牌/产地:Infineon(英飞凌)
三极管类型:NPN
型号PN:IPD082N10N3G
描述:漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 80A 栅源极阈值电压 3.5V 流明 75UA 漏源导通电阻 8.6MΩ 流明 73A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 125W 类型 N沟道 N沟道 100V 80A 8.2MΩ流明10V
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