VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管) SI3464DV-T1-GE3 封装:TSOP-6 PN:SI3464DV-T1-GE3

商品编号：OK000000164406

型号：SI3464DV-T1-GE3

封装/规格：TSOP-6

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SI3464DV-T1-GE3

描述：漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 8A(TC) 栅源极阈值电压 1V 流明 250UA 漏源导通电阻 24MΩ 流明 7.5A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 3.6W(TC) 类型 N沟道 N沟道 20V 8A 0.024Ω流明4.5V