DIODES(美台) 贴片MOS(场效应三极管) DMN30H4D0LFDE-7 封装:U-DFN2020-6 PN:DMN30H4D0LFDE-7

商品编号：OK000000164407

型号：DMN30H4D0LFDE-7

封装/规格：U-DFN2020-6

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：DIODES(美台)

三极管类型：NPN

型号PN：DMN30H4D0LFDE-7

描述：漏源电压(VDSS) 300V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 550MA 栅源极阈值电压 2.8V 流明 250UA 漏源导通电阻 4Ω 流明 300MA 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 630MW 类型 N沟道 N沟道 300V 550MA 4Ω流明10V