CYSTECH(全宇昕) 贴片MOS(场效应三极管) MTB20N06KJ3 封装:TO-252 PN:MTB20N06KJ3

商品编号:OK000000164432

型号:MTB20N06KJ3

封装/规格:TO-252

封装类型:贴片

产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地:CYSTECH(全宇昕)

三极管类型:NPN

型号PN:MTB20N06KJ3

描述:漏源电压(VDSS) 60V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 38A(TC) 栅源极阈值电压 2.5V 流明 1MA 漏源导通电阻 16.8MΩ 流明 8A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 50W(TC) 类型 N沟道 60V/38A 沟道

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  • 商品名称: CYSTECH(全宇昕) 贴片MOS(场效应三极管) MTB20N06KJ3 封装:TO-252 PN:MTB20N06KJ3
  • 商品编号:OK000000164432
  • 品牌:DIODES(美台)
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  • 型号:MTB20N06KJ3
  • 封装/规格:TO-252
  • 封装类型:贴片
  • 产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)
  • 品牌/产地:CYSTECH(全宇昕)
  • 三极管类型:NPN
  • 型号PN:MTB20N06KJ3
  • 描述:漏源电压(VDSS) 60V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 38A(TC) 栅源极阈值电压 2.5V 流明 1MA 漏源导通电阻 16.8MΩ 流明 8A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 50W(TC) 类型 N沟道 60V/38A 沟道
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