VBsemi(台湾微碧) 贴片MOS(场效应三极管) VBE2102M 封装:TO-252 PN:VBE2102M

商品编号：OK000000164515

型号：VBE2102M

封装/规格：TO-252

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VBsemi(台湾微碧)

三极管类型：PNP

型号PN：VBE2102M

描述：漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 8.8A 栅源极阈值电压 2.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 350MΩ 流明 3.4A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 32.1W 类型 P沟道 P沟道 -100V -8A 200MΩ流明10V