Infineon(英飞凌) MOS(场效应三极管) IPN60R3K4CEATMA1 封装:PG-SOT223 PN:IPN60R3K4CEATMA1
请用微信扫描
商品编号:OK000000164622
型号:IPN60R3K4CEATMA1
封装/规格:PG-SOT223
产品类型: MOS(场效应三极管)
品牌/产地:Infineon(英飞凌)
三极管类型:NPN
型号PN:IPN60R3K4CEATMA1
描述:漏源电压(VDSS) 600V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 2.6A(TC) 栅源极阈值电压 3.5V 流明 40UA 漏源导通电阻 3.4Ω 流明 500MA 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 5W(TC) 类型 N沟道 N沟道 600V 2.6A 3.4Ω流明10V
扫一扫,手机访问微商城
好评度
你好!请登录|注册
好评度