KIA 半导体 贴片MOS(场效应三极管) KND6610A 封装:TO-252-2(DPAK) PN:KND6610A

商品编号:OK000000164740

型号:KND6610A

封装/规格:TO-252-2(DPAK)

封装类型:贴片

产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地:KIA 半导体

三极管类型:NPN

型号PN:KND6610A

描述:漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 12A 栅源极阈值电压 2.55V 流明 250UA 漏源导通电阻 110MΩ 流明 8A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 34.7W 类型 N沟道 环保

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  • 商品名称: KIA 半导体 贴片MOS(场效应三极管) KND6610A 封装:TO-252-2(DPAK) PN:KND6610A
  • 商品编号:OK000000164740
  • 品牌:KIA 半导体
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  • 型号:KND6610A
  • 封装/规格:TO-252-2(DPAK)
  • 封装类型:贴片
  • 产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)
  • 品牌/产地:KIA 半导体
  • 三极管类型:NPN
  • 型号PN:KND6610A
  • 描述:漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 12A 栅源极阈值电压 2.55V 流明 250UA 漏源导通电阻 110MΩ 流明 8A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 34.7W 类型 N沟道 环保
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