KIA 半导体 直插MOS(场效应三极管) KIA4N60P 封装:TO-220(TO-220-3) PN:KIA4N60P

商品编号：OK000000164918

型号：KIA4N60P

封装/规格：TO-220(TO-220-3)

封装类型：直插

产品类型：直插 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：KIA 半导体

三极管类型：NPN

型号PN：KIA4N60P

描述：漏源电压(VDSS) 600V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 4A(TC) 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 2.7Ω 流明 2A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 93W(TC) 类型 N沟道 N沟道600V4A