Truesemi(信安) 直插MOS(场效应三极管) N沟道MOS 封装:TO-3P PN:TSA3878

商品编号：OK000000165287

型号：N沟道MOS

封装/规格：TO-3P

封装类型：直插

产品类型：直插 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：Truesemi(信安)

三极管类型：NPN

型号PN：TSA3878

描述：漏源电压(VDSS) 900V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 9A(TC) 栅源极阈值电压 5V 流明 250UA 漏源导通电阻 1.2Ω 流明 4.5A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 130W(TC) 类型 N沟道 N沟道 900V 9A 1.2Ω流明10V