ST(意法半导体) 贴片MOS(场效应三极管) STH80N10F7-2 封装:H2PAK-2 PN:STH80N10F7-2
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商品编号:OK000000165336
型号:STH80N10F7-2
封装/规格:H2PAK-2
封装类型:贴片
产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)
品牌/产地:ST(意法半导体)
三极管类型:NPN
型号PN:STH80N10F7-2
描述:漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 80A(TC) 栅源极阈值电压 4.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 9.5MΩ 流明 40A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 110W(TC) 类型 N沟道 N-CH 100V 80A
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