TOSHIBA(东芝) 直插MOS(场效应三极管) TK39N60W5,S1VF(S 封装:TO-247 PN:TK39N60W5,S1VF(S

商品编号:OK000000165420

型号:TK39N60W5,S1VF(S

封装/规格:TO-247

封装类型:直插

产品类型:直插 MOS(场效应三极管)

品牌/产地:TOSHIBA(东芝)

三极管类型:NPN

型号PN:TK39N60W5,S1VF(S

描述:漏源电压(VDSS) 600V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 38.8A 栅源极阈值电压 4.5V 流明 1.9MA 漏源导通电阻 74MΩ 流明 19.4A10V 最大功率耗散(TA=25°C) 270W(TC) 类型 N沟道

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  • 商品名称: TOSHIBA(东芝) 直插MOS(场效应三极管) TK39N60W5,S1VF(S 封装:TO-247 PN:TK39N60W5,S1VF(S
  • 商品编号:OK000000165420
  • 品牌:TOSHIBA(东芝)
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  • 型号:TK39N60W5,S1VF(S
  • 封装/规格:TO-247
  • 封装类型:直插
  • 产品类型:直插 MOS(场效应三极管)
  • 品牌/产地:TOSHIBA(东芝)
  • 三极管类型:NPN
  • 型号PN:TK39N60W5,S1VF(S
  • 描述:漏源电压(VDSS) 600V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 38.8A 栅源极阈值电压 4.5V 流明 1.9MA 漏源导通电阻 74MΩ 流明 19.4A10V 最大功率耗散(TA=25°C) 270W(TC) 类型 N沟道
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