HUAYI(华羿微) 贴片MOS(场效应三极管) HY1908B 封装:TO-263-2 PN:HY1908B

商品编号：OK000000165647

型号：HY1908B

封装/规格：TO-263-2

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：HUAYI(华羿微)

三极管类型：NPN

型号PN：HY1908B

描述：漏源电压(VDSS) 80V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 90A 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 9MΩ 流明 45A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 185W 类型 N沟道 N沟道