IXYS 直插MOS(场效应三极管) IXTQ200N10T 封装:TO-3P PN:IXTQ200N10T

商品编号：OK000000165694

型号：IXTQ200N10T

封装/规格：TO-3P

封装类型：直插

产品类型：直插 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：IXYS

三极管类型：NPN

型号PN：IXTQ200N10T

描述：漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 200A(TC) 栅源极阈值电压 4.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 5.5MΩ 流明 50A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 550W(TC) 类型 N沟道