VISHAY(威世) MOS(场效应三极管) SI8810EDB-T2-E1 封装:BGA-4 PN:SI8810EDB-T2-E1

商品编号：OK000000165780

型号：SI8810EDB-T2-E1

封装/规格：BGA-4

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SI8810EDB-T2-E1

描述：漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 2.1A 栅源极阈值电压 900MV 流明 250UA 漏源导通电阻 72MΩ 流明 1A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 500MW 类型 N沟道 N沟道