CYSTECH(全宇昕) 直插MOS(场效应三极管) MTE65N20H8 封装:DFN 5x6 PN:MTE65N20H8

商品编号：OK000000166169

型号：MTE65N20H8

封装/规格：DFN 5x6

封装类型：直插

产品类型：直插 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：CYSTECH(全宇昕)

三极管类型：NPN

型号PN：MTE65N20H8

描述：漏源电压(VDSS) 200V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 24A(TC) 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 80MΩ 流明 11A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 107W(TC) 类型 N沟道 200V/24A N沟道