VBsemi(台湾微碧) 贴片MOS(场效应三极管) VBMB1208N 封装:TO220F PN:VBMB1208N

商品编号：OK000000166186

型号：VBMB1208N

封装/规格：TO220F

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VBsemi(台湾微碧)

三极管类型：NPN

型号PN：VBMB1208N

描述：漏源电压(VDSS) 200V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 20A 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 最大功率耗散(TA=25°C) 42W 类型 N沟道