DIODES(美台) 贴片MOS(场效应三极管) DMN2011UFDE-7 封装:U-DFN2020-6 PN:DMN2011UFDE-7

商品编号：OK000000166307

型号：DMN2011UFDE-7

封装/规格：U-DFN2020-6

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：DIODES(美台)

三极管类型：NPN

型号PN：DMN2011UFDE-7

描述：漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 11.7A 栅源极阈值电压 1V 流明 250UA 漏源导通电阻 9.5MΩ 流明 7A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 610MW 类型 N沟道