HUAYI(华羿微) 贴片MOS(场效应三极管) HY4004B 封装:TO-263-2L PN:HY4004B

商品编号：OK000000166308

型号：HY4004B

封装/规格：TO-263-2L

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：HUAYI(华羿微)

三极管类型：NPN

型号PN：HY4004B

描述：漏源电压(VDSS) 40V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 208A(TC) 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 3.2MΩ 流明 104A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 217W(TC) 类型 N沟道