VISHAY(威世) MOS(场效应三极管) SI8816EDB-T2-E1 封装:BGA-4 PN:SI8816EDB-T2-E1

商品编号：OK000000166333

型号：SI8816EDB-T2-E1

封装/规格：BGA-4

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SI8816EDB-T2-E1

描述：漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 1.5A 栅源极阈值电压 1.4V 流明 250UA 漏源导通电阻 109MΩ 流明 1A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 500MW 类型 N沟道 N沟道