VBsemi(台湾微碧) MOS(场效应三极管) VBM2102M 封装:TO-220AB PN:VBM2102M
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商品编号:OK000000166376
型号:VBM2102M
封装/规格:TO-220AB
产品类型: MOS(场效应三极管)
品牌/产地:VBsemi(台湾微碧)
三极管类型:PNP
型号PN:VBM2102M
描述:漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 18A 栅源极阈值电压 2.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 167MΩ 流明 18A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 11.7W 类型 P沟道
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