VBsemi(台湾微碧) 贴片MOS(场效应三极管) VBL1203M 封装:TO263 PN:VBL1203M

商品编号：OK000000166429

型号：VBL1203M

封装/规格：TO263

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VBsemi(台湾微碧)

三极管类型：NPN

型号PN：VBL1203M

描述：漏源电压(VDSS) 200V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 10A 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 300MΩ 流明 5.4A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 74W 类型 -