VBsemi(台湾微碧) MOS(场效应三极管) VBJ1101M 封装:SOT223-3 PN:VBJ1101M

商品编号：OK000000166539

型号：VBJ1101M

封装/规格：SOT223-3

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VBsemi(台湾微碧)

三极管类型：NPN

型号PN：VBJ1101M

描述：漏源电压(VDSS) 100V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 4.5A 栅源极阈值电压 3V 流明 250UA 漏源导通电阻 110MΩ 流明 6A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 1.7W 类型 N沟道