VBsemi(台湾微碧) MOS(场效应三极管) VBM1201K 封装:TO-220AB PN:VBM1201K

商品编号：OK000000166541

型号：VBM1201K

封装/规格：TO-220AB

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VBsemi(台湾微碧)

三极管类型：NPN

型号PN：VBM1201K

描述：漏源电压(VDSS) 200V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 5A 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 850MΩ 流明 2.9A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 42W 类型 N沟道