UTC(友顺) 贴片MOS(场效应三极管) 4N65L-Q-TM3-T 封装:TO-251(I-PAK) PN:4N65L-Q-TM3-T

商品编号：OK000000166584

型号：4N65L-Q-TM3-T

封装/规格：TO-251(I-PAK)

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：UTC(友顺)

三极管类型：NPN

型号PN：4N65L-Q-TM3-T

描述：漏源电压(VDSS) 650V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 4A 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 2.5Ω 流明 2.2A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 50W 类型 N沟道 N沟 650V 4A