SINO-IC(光宇睿芯) MOS(场效应三极管) SE6003C 封装:TO-251 PN:SE6003C

商品编号：OK000000166625

型号：SE6003C

封装/规格：TO-251

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：SINO-IC(光宇睿芯)

三极管类型：NPN

型号PN：SE6003C

描述：漏源电压(VDSS) 60V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 3A 栅源极阈值电压 2.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 100MΩ 流明 3A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 1.7W 类型 N沟道 N沟道 60V 3A 85MΩ流明10V