HUAYI(华羿微) 贴片MOS(场效应三极管) HY0C20C 封装:DFN6L(0203) PN:HY0C20C

商品编号:OK000000166630

型号:HY0C20C

封装/规格:DFN6L(0203)

封装类型:贴片

产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地:HUAYI(华羿微)

三极管类型:NPN

型号PN:HY0C20C

描述:漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 12A(TC) 栅源极阈值电压 1.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 11MΩ 流明 8A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 1.56W(TC) 类型 双N沟道(半桥)

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  • 商品名称: HUAYI(华羿微) 贴片MOS(场效应三极管) HY0C20C 封装:DFN6L(0203) PN:HY0C20C
  • 商品编号:OK000000166630
  • 品牌:GOFORD(谷峰)
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  • 型号:HY0C20C
  • 封装/规格:DFN6L(0203)
  • 封装类型:贴片
  • 产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)
  • 品牌/产地:HUAYI(华羿微)
  • 三极管类型:NPN
  • 型号PN:HY0C20C
  • 描述:漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 12A(TC) 栅源极阈值电压 1.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 11MΩ 流明 8A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 1.56W(TC) 类型 双N沟道(半桥)
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