DIODES(美台) 贴片MOS(场效应三极管) DMN2005LP4K-7 封装:X2-DFN1006-3 PN:DMN2005LP4K-7

商品编号：OK000000166754

型号：DMN2005LP4K-7

封装/规格：X2-DFN1006-3

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：DIODES(美台)

三极管类型：NPN

型号PN：DMN2005LP4K-7

描述：漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 200MA 栅源极阈值电压 900MV 流明 100UA 漏源导通电阻 1.5Ω 流明 10MA 4V 最大功率耗散(TA=25°C) 400MW 类型 N沟道 N沟道 20V 300MA 1.5Ω流明4V