VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管) SQ1912EH-T1_GE3 封装:SC-70-6(SOT-363) PN:SQ1912EH-T1_GE3

商品编号：OK000000166916

型号：SQ1912EH-T1_GE3

封装/规格：SC-70-6(SOT-363)

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SQ1912EH-T1_GE3

描述：漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 800MA(TC) 栅源极阈值电压 1.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 280MΩ 流明 1.2A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 1.5W 类型 双N沟道