VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管) SI1900DL-T1-E3 封装:SC-70-6(SOT-363) PN:SI1900DL-T1-E3

商品编号：OK000000167052

型号：SI1900DL-T1-E3

封装/规格：SC-70-6(SOT-363)

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SI1900DL-T1-E3

描述：漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 590MV 栅源极阈值电压 3V 流明 250UA 漏源导通电阻 480MΩ 流明 590MA 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 270MW 类型 双N沟道