Nexperia(安世) 贴片MOS(场效应三极管) PSMN2R0-30YL,115 封装:SOT669 PN:PSMN2R0-30YL,115

商品编号：OK000000167184

型号：PSMN2R0-30YL,115

封装/规格：SOT669

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：Nexperia(安世)

三极管类型：NPN

型号PN：PSMN2R0-30YL,115

描述：漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 100A(TC) 栅源极阈值电压 2.15V 流明 1MA 漏源导通电阻 2MΩ 流明 15A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 97W(TC) 类型 N沟道