Infineon(英飞凌) 直插MOS(场效应三极管) IPP057N08N3G 封装:PG-TO220-3 PN:IPP057N08N3 G
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商品编号:OK000000167230
型号:IPP057N08N3G
封装/规格:PG-TO220-3
封装类型:直插
产品类型:直插 MOS(场效应三极管)
品牌/产地:Infineon(英飞凌)
三极管类型:NPN
型号PN:IPP057N08N3 G
描述:漏源电压(VDSS) 80V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 80A(TC) 栅源极阈值电压 3.5V 流明 90UA 漏源导通电阻 5.7MΩ 流明 80A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 150W(TC) 类型 N沟道 N沟道 80V 80A
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