VISHAY(威世) MOS(场效应三极管) SI8461DB-T2-E1 封装:XFBGA-4 PN:SI8461DB-T2-E1

商品编号：OK000000167455

型号：SI8461DB-T2-E1

封装/规格：XFBGA-4

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：PNP

型号PN：SI8461DB-T2-E1

描述：漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 2.5A 栅源极阈值电压 1V 流明 250UA 漏源导通电阻 100MΩ 流明 1.5A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 780MW 类型 P沟道 P沟道