VISHAY(威世) MOS(场效应三极管) SI5513CDC-T1-GE3 封装:1206-8 ChipFET PN:SI5513CDC-T1-GE3

商品编号：OK000000167458

型号：SI5513CDC-T1-GE3

封装/规格：1206-8 ChipFET

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：PNP

型号PN：SI5513CDC-T1-GE3

描述：漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 4A 3.7A 栅源极阈值电压 1.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 55MΩ 流明 4.4A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 3.1W 类型 N沟道和P沟道 N沟道+P沟道