VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管) SI9926CDY-T1-GE3 封装:SOIC-8_150mil PN:SI9926CDY-T1-GE3

商品编号：OK000000167508

型号：SI9926CDY-T1-GE3

封装/规格：SOIC-8_150mil

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SI9926CDY-T1-GE3

描述：漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 8A 栅源极阈值电压 1.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 18MΩ 流明 8.3A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 2W 类型 双N沟道 N沟道 20V 8.2A 20MΩ流明4.5V