VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管) SQD19P06-60L_GE3 封装:TO-252-2(DPAK) PN:SQD19P06-60L_GE3

商品编号：OK000000167623

型号：SQD19P06-60L_GE3

封装/规格：TO-252-2(DPAK)

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：PNP

型号PN：SQD19P06-60L_GE3

描述：漏源电压(VDSS) 60V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 20A 栅源极阈值电压 2.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 55MΩ 流明 19A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 46W 类型 P沟道