ON(安森美) MOS(场效应三极管) NTMFS4H013NFT1G 封装:SO8-FL PN:NTMFS4H013NFT1G

商品编号:OK000000168138

型号:NTMFS4H013NFT1G

封装/规格:SO8-FL

产品类型: MOS(场效应三极管)

品牌/产地:ON(安森美)

三极管类型:NPN

型号PN:NTMFS4H013NFT1G

描述:漏源电压(VDSS) 25V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 43A 栅源极阈值电压 2.1V 流明 1MA 漏源导通电阻 0.9MΩ 流明 30A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 2.7W 类型 N沟道 N沟道 25V

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  • 商品名称: ON(安森美) MOS(场效应三极管) NTMFS4H013NFT1G 封装:SO8-FL PN:NTMFS4H013NFT1G
  • 商品编号:OK000000168138
  • 品牌:ON(安森美)
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  • 型号:NTMFS4H013NFT1G
  • 封装/规格:SO8-FL
  • 封装类型:
  • 产品类型: MOS(场效应三极管)
  • 品牌/产地:ON(安森美)
  • 三极管类型:NPN
  • 型号PN:NTMFS4H013NFT1G
  • 描述:漏源电压(VDSS) 25V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 43A 栅源极阈值电压 2.1V 流明 1MA 漏源导通电阻 0.9MΩ 流明 30A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 2.7W 类型 N沟道 N沟道 25V
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