VISHAY(威世) MOS(场效应三极管) SIHP11N80E-GE3 封装:TO-220AB PN:SIHP11N80E-GE3

商品编号：OK000000168158

型号：SIHP11N80E-GE3

封装/规格：TO-220AB

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SIHP11N80E-GE3

描述：漏源电压(VDSS) 800V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 12A(TC) 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 440MΩ 流明 5.5A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 179W(TC) 类型 N沟道