VISHAY(威世) MOS(场效应三极管) SIHB33N60ET1-GE3 封装:D2PAK(TO-263) PN:SIHB33N60ET1-GE3

商品编号：OK000000168279

型号：SIHB33N60ET1-GE3

封装/规格：D2PAK(TO-263)

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SIHB33N60ET1-GE3

描述：漏源电压(VDSS) 600V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 33A(TC) 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 99MΩ 流明 16.5A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 278W(TC) 类型 N沟道