VISHAY(威世) 贴片MOS(场效应三极管)1 SI7956DP-T1-GE3 封装:PowerPAK SO-8 PN:SI7956DP-T1-GE3

商品编号：OK000000168450

型号：SI7956DP-T1-GE3

封装/规格：PowerPAK SO-8

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)1

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SI7956DP-T1-GE3

描述：漏源电压(VDSS) 150V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 2.6A 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 105MΩ 流明 4.1A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 1.4W 类型 双N沟道 双N沟道 150V 4.1A 0.105Ω流明10V