ST(意法半导体) 贴片MOS(场效应三极管)1 STB12NM50ND 封装:TO-263-2 PN:STB12NM50ND
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商品编号:OK000000168451
型号:STB12NM50ND
封装/规格:TO-263-2
封装类型:贴片
产品类型:贴片 MOS(场效应三极管)1
品牌/产地:ST(意法半导体)
三极管类型:NPN
型号PN:STB12NM50ND
描述:漏源电压(VDSS) 500V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 11A(TC) 栅源极阈值电压 5V 流明 250UA 漏源导通电阻 380MΩ 流明 5.5A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 100W(TC) 类型 N沟道 N沟道 500V 11A 380MΩ流明10V
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