VISHAY(威世) 直插MOS(场效应三极管)1 SIHG30N60E-GE3 封装:TO-247(AC) PN:SIHG30N60E-GE3

商品编号：OK000000168459

型号：SIHG30N60E-GE3

封装/规格：TO-247(AC)

封装类型：直插

产品类型：直插 MOS(场效应三极管)1

品牌/产地：VISHAY(威世)

三极管类型：NPN

型号PN：SIHG30N60E-GE3

描述：漏源电压(VDSS) 600V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 29A(TC) 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 125MΩ 流明 15A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 250W(TC) 类型 N沟道